Dlaczego ta EPROM ma struktury grzebieniowe wokół podkładek do łączenia drutów?

11

Zrobiłem zdjęcia matrycy EPROM Microchip z przełomu lat 80. i 90. (nie pamiętam dokładnego numeru części). Podkładki do łączenia drutu są otoczone grzebieniem. Jaki jest cel tej struktury?eeprom die 1eeprom die 2

integrated-circuit eeprom reverse-engineering wirebonding Scott Lawson
źródło
Ciekawie byłoby sprawdzić, czy styki wyjściowe i styki adresowe wyglądają podobnie. 24-pinowe wyprowadzenie EPROM jest dość standardowe - 12 pinów adresowych jest zgrupowanych (z Vcc i Vpp tam), a 8 pinów wyjściowych jest zgrupowanych (z Vss tam).
Spehro Pefhany

Odpowiedzi:

5

Są to prawdopodobnie duże tranzystory p-MOS i n-MOS, które są używane do ochrony przed wyładowaniami elektrostatycznymi na podkładkach łączących. Oto odniesienie, które szczegółowo pokazuje różne konstrukcje podkładek łączących (ogólnie informacja ta nie jest łatwa do zdobycia - producenci układów scalonych wydają się traktować ochronę przed wyładowaniami elektrostatycznymi jako rodzaj tajemnicy handlowej). Zdjęcie pochodzi z powyższego pliku pdf:

wprowadź opis zdjęcia tutaj

Nie pamiętam, żeby Microchip kiedykolwiek tworzył pamięci EPROM. Czy to część mikrokontrolera EPROM?

Edycja: Wystarczy spojrzeć na Microchip PIC16C57, który prawdopodobnie pochodzi z podobnej epoki. Istnieją podobne wzory po obu stronach większości pinów (które są I / O), ale tylko po jednej stronie pinów tylko wejściowych, takich jak T0CKI, / MCLR / Vpp, OSC1. Tak więc struktury wydają się być sterownikami po jednej stronie i obwodami ochronnymi ESD dowolnego rodzaju po drugiej stronie.

wprowadź opis zdjęcia tutaj

Spehro Pefhany
źródło
Z pewnością dokładne szczegóły każdego konkretnego procesu fab fab są uważane za tajemnice handlowe, przynajmniej dopóki nie zostaną powszechnie znane przez wielu dostawców. Rzadko widuje się nawet zdjęcia matryc (górna warstwa).
MarkU
Zostawiłem chip w domu, więc w tej chwili nie mogę znaleźć dokładnego numeru części. Myślę, że był podobny do 27HC64 , który Microchip sprzedał około 1990 roku. Sądzę jednak, że układ, który mam, ma kilka mniej pinów.
Scott Lawson
@ScottLawson Thanks! Oczywiście z tego arkusza danych zrobiono EPROMy w tamtych czasach. Chciałem potwierdzić, że był to proces CMOS.
Spehro Pefhany
Byłoby naprawdę interesujące zobaczyć, jak wyjaśnisz, w jaki sposób te „MOSFETY” są wytwarzane TYLKO z metalu bez silikonu. -1 do zgadywania.
symbol zastępczy
1
@placeholder Skąd wiesz, że w pobliżu nie ma krzemu - jest oczywiście na wierzchu krzemowej matrycy, więc widzisz coś innego. Co by wyglądało inaczej, gdyby były to tranzystory?
Spehro Pefhany
11

W tym piśmie istnieją dwie „odpowiedzi”, które są całkowitymi domysłami - i to również w błędzie.

Te struktury grzebieniowe są, jak można się spodziewać, gdy chcesz wywołać rozkład w dokładnej lokalizacji i w kontrolowane struktury, a nie gdzie indziej w układzie. Znajdują się w TOP metalowej warstwie, grzebienie zapewniają wiele ostrych krawędzi w celu promowania nadmiernie wysokiego zdarzenia ESD w tym miejscu.

Diody i struktury mocujące ESD są z konieczności w krzemie.

Są to bardzo dalekie od bycia strukturami tranzystorowymi, które są w Si co najmniej 3 - 7 warstw metalowych w dół.

Spójrz na piorunochrony w większym świecie. Zobaczysz tam dokładnie te same rzeczy.

Nazwij to paskiem i szelkami. A raczej ostatnia szansa, faktycznie struktury ESD są oceniane pod kątem zdarzeń o znacznie niższym napięciu.

symbol zastępczy
źródło
3
-1 za brak wyjaśnienia, dlaczego struktury są połączone z uziemieniem z jednej strony, a Vcc z drugiej.
Dave Tweed,
1
@DaveTweed znowu zgaduję. Nie powiedziałem, że są podłączone do ziemi. Nie ma wystarczających informacji, aby uzasadnić to założenie. Co to za funkcja pin? Nie wiem
symbol zastępczy
Myślę, że wszyscy powinniśmy się tutaj ochłodzić
clabacchio
Z mojego POV, gdy porównuję odpowiedzi, widzę jedną odpowiedź twierdzącą, że wszyscy inni są w błędzie, i mają rację, ponieważ, no cóż, ponieważ są, i inną odpowiedź, która przynajmniej próbuje to poprzeć niektórymi źródłami zewnętrznymi.
PlasmaHH
0

Te struktury są dużymi tranzystorami wymaganymi do napędzania pinów, które są używane jako wyjścia.

Dave Tweed
źródło
3
-1 do zgadywania
symbol zastępczy