Nie jest tak bardzo, że NAND nie jest niezawodny (chociaż jest mniej niezawodny), to fakt, że są one różnego rodzaju pamięcią pod względem sposobu dostępu i różnic w szybkości odczytu / zapisu; są zatem przydatne do różnych zastosowań.
Główną zaletą NOR jest to, że jest to dostęp losowy, który umożliwia używanie go do uruchamiania kodu. Ma pełny adres i magistralę danych, dzięki czemu możesz adresować dowolne miejsce i odczytywać / zapisywać od razu (pisanie zakłada oczywiście, że adres jest pusty).
Odczytujesz / zapisujesz NAND poprzez ustawienie adresu przez jego mały interfejs I / O, a następnie odczytywanie lub zapisywanie danych z automatycznym zwiększaniem adresu przy każdym odczycie lub zapisie. To sprawia, że jest dobry do pisania lub odczytu strumieni danych lub plików. Prędkość zapisu dla NAND jest szybsza niż NOR. Na przykład, gdy piszesz obrazy w aparacie, ta duża szybkość zapisu jest szczególnie przydatna. Większa gęstość NAND jest oczywiście lepsza w aplikacjach takich jak przechowywanie danych.
Edycja: po pytaniu Marcusa.
Istnieje powód tego dostępu z powodu fizycznego zorganizowania tranzystorów MOSFET w układzie scalonym. Aby pożyczyć trochę z Wikipedii:
W trybie NOR flash każda komórka ma jeden koniec podłączony bezpośrednio do uziemienia, a drugi koniec podłączony bezpośrednio do linii bitowej. Taki układ nazywa się „NOR flash”, ponieważ działa jak bramka NOR.
Fakt, że każda komórka ma jeden koniec podłączony do linii bitowej, oznacza, że (a więc i każdy bit) jest dostępny losowo.
Flash NAND wykorzystuje także tranzystory z pływającą bramą, ale są one połączone w sposób podobny do bramki NAND: kilka tranzystorów jest połączonych szeregowo, a linia bitów jest wyciągana nisko tylko wtedy, gdy wszystkie linie słów są wyciągnięte wysoko (nad tranzystorami VT).
Oznacza to, że każdy fragment słowa musi być dostępny w tym samym czasie.
Konstrukcja pamięci komórki NOR umożliwia programowanie bitów (zapisywanie na „0”) niezależnie, w dowolnej kolejności i bez ryzyka zakłócenia innych bitów. Niektóre macierze pamięci oparte na komórkach NOR używają skorygowanych pod kątem błędów fragmentów pamięci, które muszą być zapisywane w fragmentach o określonej wielkości (np. 32 bity), a nie bitach lub nawet bajtach na raz, ale nadal sprawia, że pisanie wielu małych fragmenty danych niezależnie w tym samym bloku bez konieczności przenoszenia danych i kasowania starego bloku.
Wiele urządzeń flash NAND wymaga, aby każda strona danych była zapisywana co najwyżej dwiema dyskretnymi operacjami, zanim cała strona będzie musiała zostać usunięta. Jeśli ktoś chce wielokrotnie dołączać dane do tej samej strony, każda taka operacja wymagałaby cyklu kopiowania i kasowania strony (być może można zoptymalizować rzeczy, aby używać tylko kopii i kasowania po każdym cyklu, ale używając NOR flash można zarządzać 1000 małymi aktualizacje dla każdego cyklu kopiowania / kasowania).
źródło