W przypadku MOSFETU z kanałem N prąd jest przełączany z drenażu na źródło. Ale MOSFET z kanałem P działa w odwrotny sposób - w MOSFET z kanałem P prąd jest przełączany ze źródła na dren. Zobacz ten przypis IRF. Również anoda integralnej diody ciała w MOSFET-ie mocy jest podłączona do źródła kanału N, ale drenu kanału P. Zobacz ten fragment .
Zasadniczo, gdy masz dodatnie napięcie podłączone do obciążenia i chcesz je włączyć i wyłączyć, użyj N-kanałowego MOSFET-a między zaciskiem ujemnym a masą. Pozwól płynąć prądowi, przykładając dodatnie napięcie, które nasyci tranzystor (10-12 dla MOSFET-ów mocy, 3-5V dla poziomu logicznego). Wyłącz go, ciągnąc bramę do źródła.
Jeśli masz ładunek z uziemionym biegunem ujemnym (co jest zwykle preferowane; nie psuj uziemienia, jeśli to w ogóle możliwe!) I chcesz przyłożyć lub usunąć napięcie dodatnie, użyj MOSFET-kanałowego. Pociągnij bramkę do źródła (podłączonego do V +), aby ją wyłączyć, lub pociągnij ją do ziemi (przez wyjście z otwartym kolektorem, jeśli twój sygnał logiczny jest mniejszy niż V +), aby ją włączyć (aby Vg wynosiło 0, a Vs, powiedzmy, 12V, dlatego Vgs wynosi -12V).
Mosfety z trybem wyczerpywania są mniej powszechne i zwykle dostępne tylko w kanale N. W trybie zubożenia kanału N bramę należy pociągnąć poniżej źródła (często uziemionego). Trzymaj się trybu ulepszania dla większości aplikacji przełączających, chyba że potrzebujesz czegoś dziwnego.
Ten schemat pokazuje obie konfiguracje (tryb ulepszenia):
Aby zidentyfikować źródło i odpływ, spójrz na stronę, do której podłączona jest strzałka. To jest źródło. Jeśli masz element fizyczny, test diody na mierniku jest przydatny zarówno do znalezienia kierunku przełączanego prądu (przyłóż napięcie dodatnie do zacisku, który test diody określa jako ujemny), jak i do testu podstawowego (nie gwarantującego), że tranzystor nie jest spalony. Aby rozróżnić kanał N i kanał P, spójrz na symbol: Kanał N wskazuje iN.