Czy w NMOS prąd płynie ze źródła do drenu lub odwrotnie?

23

Czy w NMOS prąd płynie ze źródła do drenu lub odwrotnie?

Ta strona Wikipedii mnie myli: http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET

Obraz, który mnie dezorientuje

Powyższy obraz myli mnie. W przypadku kanału N pokazuje biegunowość diody skierowanej w stronę źródła w niektórych, ale oddaloną od źródła w innych.

Zastanawiam się, który zacisk powinien być podłączony do źródła zasilania (tj. Dodatni zacisk akumulatora), a który do użytkownika energii (tj. Silnik elektryczny).

PitaJ
źródło

Odpowiedzi:

15

Konwencjonalny prąd przepływa z drenu do źródła w MOSFETIE z kanałem N.
Strzałka pokazuje kierunek diody ciała w tranzystorze MOSFET z diodą parsytyczną między źródłem a drenem przez podłoże. W krzemie brakuje tej diody.

2a to JFet o tak odmiennej topologii.

2d to MOSFET bez diody ciała. JA'

\ 2e jest trybem wyczerpywania FET - jest włączony bez napięcia bramki i przyjmuje napięcie ujemne, aby wyłączyć FET. Tak więc dioda ma inną biegunowość, w przeciwnym razie dioda ciała przewodziłaby za każdym razem, gdy pojawiało się napięcie bramki.

Russell McMahon
źródło
Zazwyczaj używasz 2d (nawet lepiej, bez strzałki, ponieważ źródło / drenaż zależy od napięcia, a nie a priori) w obwodach cyfrowych. Większość jest zazwyczaj podłączona do szyny (VCC lub GND, w zależności od polaryzacji MOSFET). Ale tak, istnieją „MOSFETY” bez diody ciała: tranzystory cienkowarstwowe (organiczne lub nieorganiczne) są tego przykładem.
następny hack
@ next-hack (2) Tak. Również izolujące urządzenia podłoża, takie jak Silicon on Saphire. (1) Nie lubię symbolu bez strzałek. Twój komentarz „... określony przez napięcie ...” jest nieco dwuznaczny (nie jest sam w sobie niepoprawny - po prostu tutaj niepewne znaczenie). Danym urządzeniem fizycznym jest zawsze kanał P lub N oraz źródło i tożsamość trzech terminal się nie zmienia. Kanał jest wzmocniony w 2 kwadrantach przez Vgs, więc np. Przepływ prądu w kanale N może być D do S lub S do D, ALE Vgs zawsze musi być dodatnie, aby włączyć urządzenie. Wiem, że o tym wiesz, ale czytam twój komentarz sugerujący inaczej.
Russell McMahon
Tak, przepraszam, miałem na myśli płaskie MOSFET-y w układach scalonych, gdzie są symetryczne i są rysowane jako 3 urządzenia końcowe, ponieważ podłoże jest podłączone do VDD (pMOSFET) lub GND (nMOSFET).
następny hack
41

Gdy kanał istnieje w MOSFET, prąd może przepływać ze drenu do źródła lub od źródła do drenu - jest to funkcja tego, jak urządzenie jest podłączone do obwodu. Kanał przewodzący nie ma wewnętrznej polaryzacji - pod tym względem przypomina rezystor.

Jednak wewnętrzna dioda wewnątrz MOSFET-u jest równoległa do kanału przewodzącego. Gdy kanał przewodzący jest obecny, dioda jest bocznikowana, a prąd przepływa ścieżką najmniejszego oporu (kanał). Gdy kanał jest wyłączony, dioda jest w obwodzie i będzie przewodzić lub blokować w zależności od polaryzacji prądu dren-źródło.

Jak pokazuje Twoje zdjęcie, istnieją zarówno urządzenia z kanałem N, jak i kanałem P, a także urządzenia z trybem wzmocnienia i trybem wyczerpywania. We wszystkich tych przypadkach prąd może przepływać ze źródła do drenu, a także z drenu do źródła - to tylko kwestia tego, jak urządzenie jest podłączone do obwodu.

Twoje zdjęcie nie pokazuje wewnętrznej diody w urządzeniach - strzałka w kierunku lub od bramki oznacza typ kanału (kanał N wskazuje w kierunku bramki, kanał P wskazuje w kierunku bramy).

Ulepszenie n-channel MOSFET

Ten symbol pokazuje nieodłączną diodę między drenem a źródłem.

V.solzatmi>V.sourdomi

V.solzatmi<V.sourdomi

Urządzenia delpetion N-kanałowe mają kanał domyślnie i potrzebują napięcia na bramie niższe niż źródła, aby włączyć kanał off . Kanał można rozszerzyć do pewnego stopnia poprzez zwiększenie napięcia między bramką a źródłem powyżej 0.

Urządzenia zubożenia P-kanałowe posiadają także kanał domyślnie i potrzebują napięcia na bramie wyższa niż źródła w celu przekształcenia kanału off . Kanał można rozszerzyć do pewnego stopnia, zmniejszając napięcie między bramkami a napięciem poniżej 0.

Adam Lawrence
źródło
7
Chciałbym, żeby artykuł na Wikipedii był taki jasny.
Timmmm,
1
Świetna odpowiedź, dziękuję. Myślę, że odpowiedź przyniesie korzyść, jeśli wyjaśnisz również, do czego służy dioda. Zakładając, że istnieje proste wyjaśnienie.
Violet Giraffe
2
@VioletGiraffe To naprawdę nie jest na nic. To tylko konsekwencja fizycznej budowy części. Niektóre doświadczone projekty wykorzystują go, a niektórzy producenci określają również jego wydajność.
Adam Lawrence,
5

Nie wziąłem żadnych klas półprzewodnikowych, ale jeśli jesteś zainteresowany odpowiedzią ograniczoną do działania na poziomie obwodu, szybka odpowiedź brzmi:

w przypadku NMOS prąd przepływa z drenażu do źródła (strzałka wskazuje na urządzenie od źródła) z PMOS , prąd płynie od źródła do drenu (strzałka wskazuje urządzenie do źródła)

Na powyższym schemacie słowa kanał P odnoszą się do typu kanału, który tworzy się pod Bramą. P oznacza, że ​​kanał tworzy się na półprzewodniku typu P, podczas gdy N oznacza półprzewodnik typu N.

W odniesieniu do zamieszania. masz rację, to jest mylące. To, co widzisz, jest znane jako terminal związany z ciałem źródłowym. W niektórych aplikacjach jest to przydatne (więcej informacji poniżej). Na razie go zignoruj.

Zasadniczo podczas badania schematu obwodu analogowego zwykle widać strzałki na zacisku źródłowym tranzystora.

Podczas badania schematów cyfrowych na poziomie tranzystorów (w przeciwieństwie do poziomu bramki, tj. Bramek AND, OR, XOR), zwykle nie ma strzałek. Cechą wyróżniającą jest to, że PMOS będzie miał małą bańkę na terminalu Gate, podczas gdy NMOS nie będzie miał żadnej bańki. Zapewniamy, że w rzeczywistości są to te same tranzystory (zarówno PMOS, jak i NMOS) zarówno w zastosowaniach analogowych, jak i cyfrowych. Ale sposób ich obsługi jest zupełnie inny.

Ciekawostka dla początkującego Tranzystor jest czterozaciskowym urządzeniem: bramką, odpływem, źródłem i ciałem. Jako wprowadzenie do mikroelektroniki konwencjonalnie ignoruje się terminal ciała, ale jedynie w celu zapoznania się z głównymi równaniami. Istnieje jednak zjawisko półprzewodnikowe zwane efektem ciała, które wprowadza dodatkową warstwę złożoności do obliczeń ręcznych w odniesieniu do obliczania spoczynkowego punktu pracy tranzystora (spoczynkowy punkt pracy jest ważnym słowem, które można napotkać; to tylko fantazyjne słowo, które oznacza punkt pracy IV lub prąd-napięcie danego tranzystora.)

Modelowanie tranzystora jest bardzo złożonym przedsięwzięciem i samo w sobie stanowi dyscyplinę elektrotechniki lub fizyki stosowanej. Każdy podręcznik wprowadzający w mikroelektronice zwykle rozpoczyna rozdział wspominający o połączeniach pn (rodzaj domieszkowanego półprzewodnika krzemowego).

Jeśli jesteś naprawdę zainteresowany i masz podstawową wiedzę na temat równań kwadratowych i algebry, możesz rzucić okiem na świetny podręcznik wprowadzający napisany przez rzucić Behzada Razaviego . Chciałbym mieć tę książkę, kiedy studiowałem mikroelektronikę na uniwersytecie. Zakłada jednak zrozumienie podstawowych obwodów (tj. Rezystorów, kondensatorów i cewek).

adile
źródło
2
Zrozumienie, w jaki sposób modelować FET z maksymalną dokładnością, może wymagać ukończenia studiów uniwersyteckich lub równoważnych. Ale zrozumienie podstawowego modelu i tego, jak używać go w obwodzie, jest zadaniem większości hobbystów.
Photon
4

Tak, prąd może przepływać z drenu do źródła i odwrotnie. Aby jeszcze bardziej uprościć, chciałbym dodać trochę do tego, o czym wspomniał @Adam Lawrence.

Jestem pewien, że znasz przekrój tranzystora CMOS. Widać, że przekrój Mosfeta JEST NAWET od środkowej linii pionowej. Tak więc, którykolwiek (z dwóch zacisków po bokach nmos) zacisk ma wyższe napięcie niż drugi zacisk, który staje się odpływem (dla NMOS), a drugi zacisk z niższym napięciem staje się źródłem (dla nmos). W przypadku PMO postępuje się odwrotnie.

Niemniej jednak należy zachować ostrożność, kupując / obsługując dyskretne 3-stykowe Mosfety (tj. SiHG47N60EF ), w których wewnętrzna część jest już wewnętrznie podłączona do źródła (dla nmos) lub odpływu (dla pmos). To sprawia, że ​​piny mosfet są predefiniowane, jak wspomniano w arkuszu danych. W takim przypadku nadal jest prawdą, że zacisk o wyższym napięciu jest drenem, a zacisk o niższym napięciu jest źródłem nmos. Jeśli jednak zastosujesz wyższe napięcie do predefiniowanego źródła, jak wspomniano w arkuszu danych, napięcia progowe nie będą takie same, jak wymienione w arkuszu danych. A twój tranzystor nie będzie zachowywać się tak samo, jak podano w arkuszu danych.

wprowadź opis zdjęcia tutaj

dr3patel
źródło
1
Ale to przełączanie oparte na napięciu nie działałoby w większości rzeczywistych tranzystorów, ponieważ są diodowe, prawda?
PitaJ
1
Tak, oni są. Te diodowe mosfety są nazywane diodami o odwróconym ciele, które mają nieco inną strukturę niż powyższa i masz rację, nie będą działać, jeśli zamienisz styki spustowe i źródłowe. Powyższy obrazek przedstawia mosfet, o którym zwykle mówi się w zintegrowanym układzie, tj. Konstrukcjach VLSI.
dr3patel
Zdjęcie pokazuje rodzaj MOSFET-u, który jest stosowany w układach scalonych, ponieważ pozwala on na oddzielne połączenia źródła i drenu każdego tranzystora, kosztem podłączenia każdego substratu tranzystora i bardziej znaczącym kosztem wymagania tego źródła, bramki i połączenia spustowe należy wykonać po tej samej stronie matrycy.
supercat