Nie do końca rozumiem ten obwód przedwzmacniacza FET-BJT

19

Często widzę ten obwód na przedwzmacniaczach mikrofonowych, ale nie do końca to rozumiem. FET działa jako wspólny wzmacniacz źródłowy , więc ma wzmocnienie, odwraca i ma stosunkowo wysoką impedancję wyjściową. Dlatego sensowne byłoby śledzenie go przez bufor.

BJT jest popularnym obserwatorem urządzeń zbierających / emitujących, więc wydaje się, że działa jak bufor, prawda? Byłby nieodwracalny, z zyskiem napięcia prawie jedności i niską impedancją wyjściową do napędzania innych rzeczy bez degradacji. Sygnał napięciowy z FET jest przekazywany przez kondensator do podstawy BJT, gdzie jest następnie buforowany i pojawia się na wyjściu BJT.

Nie rozumiem, dlaczego rezystor spustowy FET jest podłączony do wyjścia BJT, a nie do zasilacza. Czy to jakaś informacja zwrotna? Czy nie byłoby to pozytywne opinie? (Wraz ze wzrostem napięcia wyjściowego FET, popycha ono napięcie bazowe w górę przez nasadkę, która następnie przepycha napięcie wyjściowe w górę od BJT, które następnie podnosi napięcie FET w górę i tak dalej.)

alternatywny tekst

Jaką przewagę ma nad takim obwodem?

alternatywny tekst

endolit
źródło
Myślę, że mogę to wyjaśnić, ale zajmie mi to trochę pisać, postaram się odpowiedzieć jutro.
Kortuk
> 100 wyświetleń i brak odpowiedzi? : /
endolith
2
myślę, że może to być negatywna informacja zwrotna; wraz ze wzrostem napięcia drenu wzrasta prąd w podstawie BJT, co zwiększa prąd z emitera, co zwiększa spadek napięcia na rezystorze wyjściowym, więc napięcie w drenu jest obniżane w dół, przeciwnie do założenia początkowego.
JustJeff
Mam nadzieję, że kiedyś zrozumiem to pytanie ... na tej stronie mamy utalentowanych EE ...
J. Polfer
Oto układ, który wygląda bardzo podobnie, ale z JFET na górze: geofex.com/Article_Folders/modmuamp/modmuamp.htm Więc jest to wariant „mu-amp”, który jest opisany na stronie 5 ti.com/ Lit / AN / snoa620 / snoa620.pdf
endolit

Odpowiedzi:

7

Oto oferta. Kondensator zapewnia stałe napięcie przy wysokich częstotliwościach w kombinacji baza-emiter + rezystor BJT. Powoduje to dość stały prąd przez BJT i ​​rezystor, z pewną wysoką impedancją Z, prawdopodobnie określaną głównie przez podstawowy rezystor BJT Rb. FET ma wysoką transkonduktancję (gm = Iout / Vin), a zysk netto wynosi gm * Z. Jest to napięcie na źródle drenażu FET . Rezystor emiterowy BJE ma na nim stałe napięcie, więc do tego dochodzi napięcie polaryzacji. Stały prąd pozwala BJT działać jako bufor wyjściowy o niskiej impedancji (= Rb / beta).

Jason S.
źródło
Dzięki za odpowiedź dla Jasona, miałem na myśli i kiedy zobaczyłem dzisiaj pytanie, zrozumiałem, że zapomniałem.
Kortuk
„przy wysokich częstotliwościach”, co oznacza „przy częstotliwościach sygnałów”? Czy stały prąd z BJT nie wymagałby stałego prądu do bazy? „Rezystor emiterowy BJE” powinien być „Rezystorem emiterowym BJT”? Jeśli BJT działa tylko jako bufor, jaka jest korzyść z takiego obwodu? imgur.com/qeEZw.png Rezystor fizyczny nie może być tak wysoki, jak „wirtualny opór” zapewniany przez obecne źródło? Lepsza liniowość?
endolith
„jaka jest korzyść z takiego obwodu”: Dobre pytanie. Wzmocnienie wygląda mniej więcej tak samo (zdominowany przez rezystor bazowy BJT Rb ... w twoim obwodzie zamieszczonym są to równolegle dwa oporniki polaryzacji) w obu przypadkach. Impedancja wyjściowa wygląda tak samo ... kiedy po raz pierwszy zobaczyłem obwód na tej stronie, pomyślałem, że kondensator jest baterią i pomyślałem: „och, oczywiście, zamieniają BJT w źródło stałego prądu, dlaczego nie mielibyśmy „po prostu używasz Zenera ...”, w którym to przypadku naprawdę możesz użyć stałego źródła prądu w / r / t BJT - zaletą tego rozwiązania jest pasożytnictwo w BJT ...
Jason S
Zasadniczo, ilekroć kondensator jest połączony szeregowo ze ścieżką sygnału, sygnały „niskiej” częstotliwości i DC są blokowane, a częstotliwości „wysokie” są przekazywane. Kondensator tworzy filtr górnoprzepustowy. To, co stanowi „wysoki” i „niski”, zależy od rezystancji obwodu i wartości kondensatora.
W5VO
@JasonS: Tak, kiedy symuluję ten obwód, ma niższe wzmocnienie i gorsze zniekształcenie niż prostsze. Nie rozumiem
endolith
4

Prąd przepływający przez BJT (tj. Z kolektora do emitera) będzie równy prądowi przepływającemu do podstawy razy współczynnik wzmocnienia tranzystora.

I_ce = beta * I_b

... jeśli moja pamięć służy mi poprawnie. Z drugiej strony, FET można ogólnie traktować jako „włączony” (pozwalając na przepływ prądu) lub „wyłączony” (zapobiegając przepływowi prądu). Jeśli FET jest „wyłączony”, nie będzie ścieżki do ziemi dla prądu i żaden prąd nie przepłynie przez BJT (lub odwrotnie, każdy prąd popłynie do ziemi. Kondensator zapewnia ścieżkę do ziemi (odciągając prąd od podstawy) BJT) dla sygnałów „wysokiej częstotliwości” Impedancja kondensatora zmniejsza się proporcjonalnie do iloczynu częstotliwości sygnału i pojemności.

Z_cap = -j * omega * C
|Z_cap| = omega * C = 2 * pi * f * C

Chyba nie jest to zbyt duża odpowiedź na pytanie, ale to właśnie pamiętam z „podstawowych zasad”.

vicatcu
źródło
2

Nie rozumiem, dlaczego rezystor spustowy FET jest podłączony do wyjścia BJT, a nie do zasilacza.

Rezystor, o którym mówisz, nie jest rezystorem drenażowym w zwykłym tego słowa znaczeniu. Gdyby wynik został pobrany z odpływu, wówczas BJT i ​​różne zespoły obwodów można uznać za obciążenie aktywne; cały obwód „powyżej” FET można zastąpić małą rezystancją odpowiadającą sygnałowi.

RbRmi

Rtre=Rb||rmi||Rmi+r01-αRmirmi+RmiRb

Rb

Rb

jare=100μZA

30kΩV.re>0

Rbjab=jare1+βRb30kΩ

Oczywiście, gdyby wyjście zostało pobrane z odpływu, mielibyśmy bardzo wysoką impedancję wyjściową. Ale pobieramy dane wyjściowe z węzła emitera. Tam wzrost napięcia jest tylko nieznacznie mniejszy niż przy odpływie:

vout=vreroro+rmi||Rmivreroro+rmi=vreV.ZAV.ZA+αV.T.vre

V.ZAV.T.25mV.

Ale opór patrząc do węzła wyjściowego jest znacznie mniejszy niż patrząc do węzła drenażu:

routrmi||Rmi+Rb(1-solmrmi||Rmi)=rmi||Rmi+Rb(1-αRmirmi+Rmi)

Tak więc pierwszy obwód oferuje znacznie wyższe wzmocnienie napięcia, ale nieco wyższą rezystancję wyjściową niż drugi obwód.

Alfred Centauri
źródło
1

Obwód ten jest często nazywany regulowanym bocznikowo push-pull (SRPP). Zwykle jest realizowany za pomocą lamp.

W alternatywnej cyrkulacji, popychacz wyjściowego emitera pracuje w klasie A i polega na rezystorze emitera w celu obniżenia mocy wyjściowej dla ujemnego sygnału wyjściowego. Może to powodować zniekształcenia, szczególnie jeśli obciążenie ma znaczną pojemność.

Z SRPP, gdy wyjście staje się ujemne, FET przeciąga wyjście na niskim poziomie przez rezystor emiterowy BJT, podczas gdy BJT jest wyłączany przez sygnał sprzężony przez kondensator do jego podstawy. Dzięki temu obwód może wyprowadzić wyjście blisko grunt, BJT może nawet całkowicie odciąć.

Kevin White
źródło
0

To interesujące. Ważne jest, aby opornik obciążenia na podstawie BJT był wystarczająco wysoki. Jeśli jest prawie taka sama jak rezystor drenażowy na drugim schemacie, nie ma umowy, aw symulacji nie uzyskasz żadnych korzyści. Jeśli rezystor polaryzacji jest wystarczająco wysoki, BJT jest popychaczem napięcia. Oznacza to w AC, że napięcie drenu jest takie samo w podstawie BJT i ​​prawie równe w emiterze. Oznacza to jednak, że na rezystorze emitera nie będzie prądu przemiennego, przy czym oba jego połączenia będą miały ten sam potencjał prądu przemiennego. Jest to połączenie typu bootstrap, które sprawia, że ​​impedancja drenażu FET jest bardzo wysoka, co zwiększa wzmocnienie systemu w porównaniu z drugą wersją. Interesujące jest również to, że wyjście z emitera daje niską impedancję wyjściową, ale wyjście z drenu jest takie samo jak wzmacniacz nadprzewodnikowy,

Adrian Stanciu
źródło