FDC855N jest w pakiecie 6-pinowego, z których cztery są połączone z odpływem, a tylko 1 do źródła. Skąd ta różnica? Źródło widzi ten sam prąd co dren, prawda?
18
To nie dotyczy wysokiego prądu, lecz zarządzania ciepłem.
Pojedynczy kołek źródłowy może obsłużyć prąd, podobnie jak pojedynczy kołek spustowy. Schematycznie MOSFET jest często rysowany symetrycznie, ponieważ w ten sposób łatwiej jest pokazać asymetrię przewodności kanału.
Ale dyskretne tranzystory MOSFET nie są budowane w ten sposób. Bardziej jak to:
Prawdopodobnie zostanie zapakowany do góry nogami, a większość odpływu zostanie podłączona do ramy ołowianej, która bezpośrednio łączy się z 4 pinami. Brama i źródło zostaną połączone z kołkami.
Większość MOSFET rozprasza najwięcej ciepła, a ponieważ jego bezpośredni kontakt z kołkami ciepło może być odprowadzane przez kołki, jest to ścieżka o niskim oporze cieplnym. Odpływ może nadal być połączony drutem, aby zapewnić prawidłowe połączenie elektryczne. Ale drut łączący przejdzie znacznie mniej ciepła.
Opór cieplny przewodzenia (do miedzi na płytce drukowanej) jest znacznie niższy niż oporu konwekcyjnego (sposób wymiany ciepła z powietrzem nad opakowaniem). Znalazłem następujący sugerowany układ padów dla diody LED mocy Luxeon. Twierdzą, że może łatwo osiągnąć 7K / W.
W zasilaczach SMT MOSFET, które będą musiały rozproszyć dość ciepła, zaleca się umieszczenie kołków spustowych na większej płaszczyźnie miedzi lub pozwolić, aby ciepło rozproszyło się przez szereg (wypełnionych) przelotek, jak w przypadku Luxeon LED.
Będzie to służyło do chłodzenia - na dole strony 2 zauważysz, że duży nacisk kładziony jest na to, że sposób połączenia miedzianych pinów zmieni właściwości termiczne. Większość ciepła przechodzi przez kołki, a nie do paczki do powietrza.
To dość powszechne - IRFD9024 ma dwa kołki do odpływu i wyraźnie wspomina „Podwójny odpływ służy jako ogniwo termiczne do powierzchni montażowej dla poziomów rozpraszania mocy do 1 W”
Jest to szczególnie powszechne w MOSFETACH HEXFET i PowerTrench, ponieważ odpływ jest podłączony do masy podłoża, a źródłem jest metalowa warstwa na wierzchu. Odpływ jest ściślej sprzężony termicznie z podłożem, dlatego lepiej jest usunąć ciepło.
Większość MOSFET-ów mocy klasyfikuje się jako MOS z dyfuzją pionową w porównaniu do MOS-ów płaskich lub bocznych używanych gdzie indziej. Wynika to głównie z tego, że aby zmaksymalizować zdolność przenoszenia prądu, potrzebujesz niezwykle długiego, ale wąskiego kanału, co jest trudne do zrobienia przy użyciu podręcznika symetrycznego MOSFET. Wyjątkiem będą MOSFET-y mocy przeznaczone do wzmacniaczy audio - są to MOS-y boczne i zwykle okaże się, że są one konwencjonalnie ogrzewane w wyniku.
źródło